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STB50N25M5
STMicroelectronics

STB50N25M5

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
5V @ 100µA
Vgs (Max)
±25V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
D2PAK
Serie
MDmesh™ V
Rds On (max) a Id, Vgs
65 mOhm @ 14A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
110W (Tc)
imballaggio
Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi
497-10024-1
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Tensione drain-source (Vdss)
250V
Descrizione dettagliata
N-Channel 250V 28A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
28A (Tc)

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