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Parametri del prodotto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
60V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Tipo transistor
4 PNP (Quad)
Contenitore dispositivo fornitore
TO-116
Serie
-
Potenza - Max
1.5W
imballaggio
Bulk
Contenitore / involucro
14-DIP (0.300", 7.62mm)
temperatura di esercizio
-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio
Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard
12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS
Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenza - transizione
-
Descrizione dettagliata
Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 60V 600mA 1.5W Through Hole TO-116
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)
10µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)
600mA

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