Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STP260N4F7
STP260N4F7
STMicroelectronics
MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220
Senza piombo / RoHS conforme
Richiedi prezzo e tempi di consegna
STP260N4F7 sono disponibili, Possiamo fornire STP260N4F7, usa il modulo di richiesta preventivo per richiedere pirce STP260N4F7 e tempi di consegna.Atosn.com un distributore di componenti elettronici professionale.Abbiamo un ampio inventario e possiamo consegne veloci, contattaci oggi e il nostro rappresentante di vendita ti fornirà il prezzo ei dettagli della spedizione sulla parte n. STP260N4F7.Include problemi di sdoganamento per abbinare il tuo paese, abbiamo un team di vendita professionalee il team tecnico, non vediamo l'ora di lavorare con te.
Richiedi preventivo
Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- TO-220
- Serie
- STripFET™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 2.2 mOhm @ 60A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 235W (Tc)
- Contenitore / involucro
- TO-220-3
- Altri nomi
- 497-17320
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Produttore tempi di consegna standard
- 38 Weeks
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 5600pF @ 25V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 67nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 40V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 40V 120A (Tc) 235W (Tc) Through Hole TO-220
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 120A (Tc)
Prodotti Simili
- STMicroelectronics STP260N4F7
- Scheda tecnica STP260N4F7
- Scheda tecnica STP260N4F7
- Scheda tecnica pdf STP260N4F7
- Scarica la scheda tecnica STP260N4F7
- Immagine STP260N4F7
- STP260N4F7 parte
- ST STP260N4F7
- STMicroelectronics STP260N4F7