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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
-
Vgs (Max)
-
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
TO-220
Serie
MDmesh™ M2
Rds On (max) a Id, Vgs
-
Dissipazione di potenza (max)
169W (Tc)
Contenitore / involucro
TO-220-3
temperatura di esercizio
-
Tipo montaggio
Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard
42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Tensione drain-source (Vdss)
600V
Descrizione dettagliata
N-Channel 600V 20A (Tc) 169W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
20A (Tc)

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