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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±18V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
DPAK
Serie
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
Rds On (max) a Id, Vgs
15 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
58W (Tc)
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi
497-15965-2
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3525pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
65.5nC @ 10V
Tipo FET
P-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)
40V
Descrizione dettagliata
P-Channel 40V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
50A (Tc)

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