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STD44N4LF6
STMicroelectronics

STD44N4LF6

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 44A DPAK
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
DPAK
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (max) a Id, Vgs
12.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
50W (Tc)
imballaggio
Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi
497-11098-1
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1190pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)
40V
Descrizione dettagliata
N-Channel 40V 44A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
44A (Tc)

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