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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
DPAK
Serie
SAFeFET™
Rds On (max) a Id, Vgs
10.5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
110W (Tc)
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi
497-10411-2
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 5V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)
33V
Descrizione dettagliata
N-Channel 33V 70A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
70A (Tc)

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