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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
4.5V @ 50µA
Vgs (Max)
±30V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
DPAK
Serie
SuperFREDmesh3™
Rds On (max) a Id, Vgs
1.15 Ohm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
90W (Tc)
imballaggio
Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi
497-10707-1
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Tensione drain-source (Vdss)
525V
Descrizione dettagliata
N-Channel 525V 6A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
6A (Tc)

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