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STMicroelectronics

STSJ25NF3LL

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 25A 8-PWRSOIC
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
1V @ 250µA
Vgs (Max)
±16V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
8-SOIC
Serie
STripFET™ II
Rds On (max) a Id, Vgs
10.5 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
70W (Tc)
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1650pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 4.5V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)
30V
Descrizione dettagliata
N-Channel 30V 25A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
25A (Tc)

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