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STMicroelectronics

STSJ100NH3LL

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 25A PWR8SOIC
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
1V @ 250µA
Vgs (Max)
±16V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
8-SOIC-EP
Serie
STripFET™ III
Rds On (max) a Id, Vgs
3.5 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 70W (Tc)
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Altri nomi
497-5785-2
STSJ100NH3LL-ND
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4450pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 4.5V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)
30V
Descrizione dettagliata
N-Channel 30V 100A (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
100A (Tc)

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