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STL8DN6LF3
STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
Senza piombo / RoHS conforme
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 3V @ 250µA
- Contenitore dispositivo fornitore
- PowerFlat™ (5x6)
- Serie
- Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 30 mOhm @ 4A, 10V
- Potenza - Max
- 65W
- imballaggio
- Tape & Reel (TR)
- Contenitore / involucro
- 8-PowerVDFN
- Altri nomi
- 497-13169-2
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Produttore tempi di consegna standard
- 38 Weeks
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 668pF @ 25V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 13nC @ 10V
- Tipo FET
- 2 N-Channel (Dual)
- Caratteristica FET
- Logic Level Gate
- Tensione drain-source (Vdss)
- 60V
- Descrizione dettagliata
- Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 65W Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 20A
- Numero di parte base
- ST*8DN
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