STL8P2UH7
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 1V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±8V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- PowerFlat™ (2x2)
- Serie
- DeepGATE™, STripFET™ VII
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 22.5 mOhm @ 4A, 4.5V
- Dissipazione di potenza (max)
- 2.4W (Tc)
- imballaggio
- Original-Reel®
- Contenitore / involucro
- 6-PowerWDFN
- Altri nomi
- 497-14997-6
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Livello di sensibilità umidità (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 2390pF @ 16V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 22nC @ 4.5V
- Tipo FET
- P-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.5V, 4.5V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 20V
- Descrizione dettagliata
- P-Channel 20V 8A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 8A (Tc)
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