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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
PowerFlat™ (5x6)
Serie
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3
Rds On (max) a Id, Vgs
30 mOhm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
65W (Tc)
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
8-PowerVDFN
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
668pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)
60V
Descrizione dettagliata
N-Channel 60V 20A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
20A (Tc)

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