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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > CSD85301Q2

CSD85301Q2


MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Senza piombo / RoHS conforme

    Richiedi prezzo e tempi di consegna

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    Parametri del prodotto

    Vgs (th) (max) a Id
    1.2V @ 250µA
    Contenitore dispositivo fornitore
    6-WSON (2x2)
    Serie
    NexFET™
    Rds On (max) a Id, Vgs
    27 mOhm @ 5A, 4.5V
    Potenza - Max
    2.3W
    imballaggio
    Tape & Reel (TR)
    Contenitore / involucro
    6-WDFN Exposed Pad
    Altri nomi
    296-40010-2
    CSD85301Q2-ND
    temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo montaggio
    Surface Mount
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
    Produttore tempi di consegna standard
    35 Weeks
    Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
    Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    469pF @ 10V
    Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    5.4nC @ 4.5V
    Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
    Caratteristica FET
    Logic Level Gate, 5V Drive
    Tensione drain-source (Vdss)
    20V
    Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5A 2.3W Surface Mount 6-WSON (2x2)
    Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5A

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