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CSD75301W1015


MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
Senza piombo / RoHS conforme

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    Parametri del prodotto

    Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
    Contenitore dispositivo fornitore
    6-DSBGA (1x1.5)
    Serie
    NexFET™
    Rds On (max) a Id, Vgs
    100 mOhm @ 1A, 4.5V
    Potenza - Max
    800mW
    imballaggio
    Original-Reel®
    Contenitore / involucro
    6-UFBGA, DSBGA
    Altri nomi
    296-24261-6
    temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo montaggio
    Surface Mount
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
    Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
    Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    195pF @ 10V
    Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    2.1nC @ 4.5V
    Tipo FET
    2 P-Channel (Dual)
    Caratteristica FET
    Logic Level Gate
    Tensione drain-source (Vdss)
    20V
    Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.2A 800mW Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
    Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.2A
    Numero di parte base
    CSD75301

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