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CSD75207W15


MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
Senza piombo / RoHS conforme

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    Parametri del prodotto

    Vgs (th) (max) a Id
    1.1V @ 250µA
    Contenitore dispositivo fornitore
    9-DSBGA
    Serie
    NexFET™
    Rds On (max) a Id, Vgs
    162 mOhm @ 1A, 1.8V
    Potenza - Max
    700mW
    imballaggio
    Tape & Reel (TR)
    Contenitore / involucro
    9-UFBGA, DSBGA
    Altri nomi
    296-40008-2
    CSD75207W15-ND
    temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo montaggio
    Surface Mount
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
    Produttore tempi di consegna standard
    35 Weeks
    Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
    Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    595pF @ 10V
    Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    3.7nC @ 4.5V
    Tipo FET
    2 P-Channel (Dual)
    Caratteristica FET
    Logic Level Gate
    Tensione drain-source (Vdss)
    -
    Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 3.9A 700mW Surface Mount 9-DSBGA
    Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.9A

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